ID腕带电路板负片:一般来说,我们称之为tenting工艺。使用的液体是酸蚀刻负片,因为底片制作后,所需的电路或铜表面是透明的,而不是黑色的。线路工艺曝光后,透明部分因干膜阻剂受光而发挥化学硬化作用,下一个显影工艺将冲走未硬化的干膜,因此,在蚀刻过程中,只有铜箔(底片的黑色部分)被侵蚀干膜冲走,而保留干膜不被冲走属于我们想要的线路(底片的透明部分)
ID腕带电路板的正片:一般来说,我们谈论pattern工艺。使用的yao药液是碱性蚀刻正片。如果从底片来看,所需的电路或铜表面是黑色的,而不是透明的。同样,在线路工艺曝光后,透明部分会因干膜阻剂的光照而硬化,下一个显影工艺将冲走未硬化的干膜,然后是镀锡铅工艺,将锡铅镀在前一个工艺(显影)干膜冲走的铜表面,然后去除膜(去除因光线而硬化的干膜)。在下一个工艺蚀刻过程中,用碱性yao水咬掉没有锡铅保护的铜箔(底片的透明部分),剩下的就是我们想要的线(底片的黑色部分)。
正片和负片实际上是根据各电路板厂的工艺选择的。正片:工艺为(双面电路板)切割钻孔-PTH(一次电镀也叫加厚铜)-线路-二铜(图形电镀)然后采用SES线(退膜-蚀刻-退锡)负片:工艺为(双面板)切割-钻孔-PTH(一次电镀也叫加厚铜)-线路(无二铜图形电镀)然后走DES线(蚀刻-退膜)
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